单腔体脉冲激光沉积系统-PLD
PLD工艺生长腔
◉ 选用圆球形或圆柱形腔体,极限真空度优于 5 x 10-8 mbar
◉ 腔体法兰口包括:主抽气口、样品台、靶台、工艺进气口、全量程真空计、工艺真空计、RHEED 电子枪、荧光屏、观察窗等,也可以预留其他法兰口,比如红外测温、等离子体源、磁控溅射源等
◉ 腔体支持真空烘烤,最高烘烤温度可达200 度
◉ 快开门维护法兰
◉ 多角度观察窗,兼顾腔内各核心部件观测
PLD样品台
样品台采用多种加热方式,包括电阻式加热,辐射式加热,红外激光加热;
电阻式加热样品台
◉ 样品区域: 最大2英寸/15 x 18 mm方形区域(适用于旗型样品托);
◉ 最高加热温度:1000°C;
◉ 加热器可整体插拔传送;
◉ XYZ三维位置可调;
◉ K-type热电偶测温;
辐射式加热样品台
◉ 样品区域: 最大2英寸;
◉ 最高加热温度:1000°C(铂铑合金加热丝,抗氧压);
◉ 样品实际温度可达800°C,衬底无需银胶固定;
红外激光加热样品台
◉ 样品区域: 最大1英寸;
◉ 激光器:980 nm固体红外激光器,光纤导入;
◉ 最高加热温度:1400°C;
◉ SiC夹层K-type热电偶或者光学红外测温;
◉ XYZ三维位置可调;
PLD靶台
◉ 靶位:4/5/6 x 最大1英寸;
◉ 程控公自转设计;
◉ 靶位自动选取;
◉ 靶台整体取放或单独靶托取放;
◉ XYZ多轴运动可选;
PLD工艺气路
◉ 全金属密封质量流量计;
◉ 分子泵旁抽/闸板阀限制抽速,流量计PID控压,或碟阀控压;
◉ Ar/N2/O2多种气体混合方式可选;
◉ 支持静态/动态退火工艺
激光光路
◉ 根据脉冲激光沉积系统和实验室场地的实际尺寸具体设计;
◉ 利用几何光学成像原理在光路上放置有光阑、反射镜和透镜;
◉ 光路被完整限制在亚克力有机玻璃包裹的铝型材框架内;
◉ 入射高度/焦距/角度根据系统和实验室空间设计;
◉ 激光器可融入光路内,节省空间;
◉ 出射光斑和强度优化;
光路拓展
◉ 合理配置光路系统可有效提高激光器效率;
◉ 具体分光光路可根据实验室实际空间尺寸确认;
◉ 我们可提供成套解决方案;
◉ 设备尺寸小,操作简单,可以和国内外其他品牌的脉冲激光沉积系统配合,如荷兰TSST、美国Neocera、日本Pascal、德国Surface,俄罗斯Bluewave,美国NBM、以及各国产厂家生产的相关脉冲激光沉积系统。
配置项目 | PLD-S35 | PLD-S40 | |
PLD工艺腔体 | |||
腔体尺寸 | 球形腔体,直径:350 mm | 圆柱形腔体,直径:400 mm | |
样品尺寸 | 1 英寸或 2 英寸向下兼容 | ||
样品加热 | 辐射式加热 / 电阻式加热 / 激光加热 1000 ℃ / 900 ℃ / 1200 ℃ | ||
靶台操控 | 4 靶位,1 英寸靶托,公自转设计 | ||
抽气泵组 | 国产: BWVAC油泵,360 l/min KYKY分子泵,600 l/s | ||
进口:Pfeiffer分子泵,355 l/s Leybold干泵,14.5 m3/h | 进口:Leybold干泵,550 l/s Leybold干泵,14.5 m3/h | ||
真空测量 | 国产:Reborn电阻电离复合规 | ||
进口:Inficon MPG400复合规 + CDG025D薄膜规 | |||
气路 | 国产:质量流量计Flowmethod,50 / 100 sccm | ||
进口:质量流量计MKS,50 / 100 sccm | |||
控压方式 | 手动角阀/漏阀控压 | ||
极限真空 | 5 x 10-8 mbar | ||
光路系统 | |||
光路支架 | 根据用户现场情况定制 | ||
控制系统 | |||
软件控制 | 动作程序控制,软件编程控制工艺,设备全套互锁 |
科研设备丨半导体材料丨高精度检测丨清洁度检测丨激光刻蚀丨光栅刻蚀丨离子刻蚀丨等离子清洗丨半导体检验丨蔡司电镜丨材料科研丨二维刻蚀丨倾角刻蚀丨3维超景深丨扫描电镜丨失效分析丨共聚焦显微镜 XML地图