感应耦合等离子体化学气相沉积系统 SI 500 D

SI 500 D满足高端工艺要求，适用于器件的生产和研发应用。 SI 500 D在基于硅烷的沉积工艺中(如II-V化合物和硅衬底)具有出色的性能。SI 500 D可在80℃至300℃/400℃温度下采用ICPECVD 电感耦合等离子体增强化学气相沉积方式制备高质的SiO2、SiOxNy、SixNy、SiC 和 a-Si 膜，具有很高的工艺稳定性和重复性。

特点：

低温   高密度 

低应力 高台阶覆盖 

低损伤 高均匀性

SI 500 D的突出优点是采用平板三螺旋天线PTSA 电感耦合等离子体ICP 源和有背氦冷却系统的下电极，最大样片直径8英寸。

配置情况：SI 500 D可配置为单反应腔系统、或带预真空室或片盒站的多腔系统。设备配置质量流量计MFC控制气体流量、气体流量独立于气体压力控制，配置带干泵的 预真空室，配置远程现场控制器RFC、通过串行现场总线Interbus连接系统所有件，配置SENTECH等离子工艺系统操作软件。采用液体前驱体TEOS，可实现高台阶覆盖的氧化硅膜沉积。

型号

SI500 D       

ICPECVD  沉积系统

室温～300/400℃

SI 500 D-300

ICPECVD  沉积系统

最大12英寸晶圆片

室温～300/400℃

SI500   PPD

PECVD  沉积系统

带预真空室

200℃~350℃

Depolab  200

PECVD  沉积系统

不带预真空室

200℃~400℃

可选项

增加气路

反应腔壁加热

载片器

衬套

前级泵改为干泵

下电极射频偏置

液体前驱体系统

激光终点监视器

OES 终点检测

原位监测椭偏仪

多腔系统配置