配置项目及机台结构图
配置项目 | SHL100-RIE | SHL200-RIE
| SHL200C-RIE
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样片尺寸 | 4英寸向下
| 8英寸向下兼容 | 8英寸向下
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RF 功率源
| 0~300W/500W/1000W可调,自动匹配
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分子泵
| 无/620(L/s)/1300(L/s)/定制
| 无/620(L/s)/1300(L/s)/定制
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前级泵 | 机械泵/干泵
| 干泵
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工艺控压
| 不控压/0~1Torr控压
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气体种类
| H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/SF6 /CF4 / CHF3 /C4F8 /NF3 /定制 (最多9路:不含腐蚀与剧毒气体 | H2 /CH4 /O2 /N2 /Ar/F6 /CF4 / CHF3 / C4F8 /NF3 /Cl2 /BCl3 /HBr (最多9路)
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气体量程
| 0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/定制 | ||
LoadLock腔 | 有/无
| 有 | |
样片控温 | 10℃ ~室温/ -30℃~100℃/定制 | -30℃~100℃/定制
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背氦冷却 | 有/无 | 有 | |
工艺腔内衬 | 有/无 | 有 | |
腔壁控温 | 无/室温~60/120℃
| 室温~60/120℃
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控制系统
| 全自动/定制
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刻蚀材料
| 硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx…… IV-IV材料:SiC 磁性材料/合金材料 金属材料:Ni/Cr/Al/Au…… 有机材料:PR/PMMA/HDMS/有机 膜…… | 硅基材料:Si/SiO2 /石英/SiNx…… III-V材料(注3) :InP/GaAs/GaN…… IV-IV材料:SiC II-VI材料(注3) :CdTe…… 磁性材料/合金材料 金属材料:Ni/Cr/Al/Au…… 有机材料:PR/PMMA/HDMS/有机膜 |
应用案例:
硅基材料 刻蚀
硅基材料、纳米压印图形、阵列图形以及透镜图形刻蚀
石英材料蚀刻 硅阵列图形 硅透镜结构
磷化铟(InP)常温 刻蚀
用于光通信中的InP基器件的图案化蚀刻,包括波导结构,谐振腔结构,脊结构等
科研设备丨半导体材料丨高精度检测丨清洁度检测丨激光刻蚀丨光栅刻蚀丨离子刻蚀丨等离子清洗丨半导体检验丨蔡司电镜丨材料科研丨二维刻蚀丨倾角刻蚀丨3维超景深丨扫描电镜丨失效分析丨共聚焦显微镜 XML地图